[实用新型]MOSFET驱动负载短路保护电路有效
| 申请号： | 201920844443.7 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN209642296U | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王湖 | 申请（专利权）人： | 上海派笙电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H7/085 |
| 代理公司： | 11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许羽冬<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200000上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及MOSFET驱动负载短路保护电路。采用的技术方案是：将N‑MOSFET的源极与地之间串一个采样电阻，并且将采样电压引到NPN三极管的基极，三极管发射极接地，三极管集电极引到低电平复位的单片机的reset脚或者单片机IO口。一旦电机短路，电流增大，采样电压将触发三极管导通，单片机在几微秒复位或产生中断或产生PWM刹车等软件响应，关闭驱动脚或驱动脚变为三态，N‑MOSFET靠栅极的下拉电阻拉低，关闭电路，从而避免电路板损坏或引发火灾。 | ||
| 搜索关键词： | 采样电压 单片机 驱动脚 复位 负载短路保护电路 三极管发射极 三极管集电极 本实用新型 单片机IO口 电路板损坏 三极管导通 采样电阻 电流增大 关闭电路 软件响应 下拉电阻 接地 低电平 短路 触发 三态 源极 刹车 电机 火灾 中断 | ||
【主权项】：
1.MOSFET驱动负载短路保护电路，其特征在于：包括电阻R1，R2，R3，R4，电容C1，NPN型三极管T1，N-MOS管Q1，连接器CN，其中电阻R1一端连接电机驱动端，另一端与N-MOS管Q1的栅极连接；电阻R3一端与N-MOS管Q1的源极相连，另一端与GND端相连；电阻R2一端连接在R1与Q1的连线上，另一端连接在R3与Q1的连线上；N-MOS管Q1的漏极与连接器CN的端口2连接，连接器CN的端口1与24V电源相连；R4一端连接在R3与Q1的连线上，另一端与NPN型三极管T1的基极相连；NPN型三极管T1的集电极接CHECK端，发射极接GND端；电容C1一端连接在R4与NPN型三极管T1的连线上，另一端连接在NPN型三极管T1与GND端的连线上。/n
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