[实用新型]倒装发光二极管芯片有效
申请号: | 201920814528.0 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN209896104U | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 刘岩;闫宝玉;刘宇轩;陈顺利 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭玮 |
地址: | 116051 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种倒装发光二极管芯片,每个焊料凸点远离衬底的表面为平面,可以使得在焊接时增加焊料凸点的接头接触面积。从而使得接头的接触面增加,形成牢固的焊接接头,来提高作业精度,提高了产品良率,节约了成本。同时,P电极包括至少一层凸点下金属化层,N电极包括至少一层凸点下金属化层。凸点下金属化层可以使得多个焊料凸点分别与P电极和N电极接触时,润湿增加粘附性,并阻挡多个焊料凸点的焊料继续向下侵入。 | ||
搜索关键词: | 焊料凸点 凸点下金属化层 倒装发光二极管芯片 焊料 润湿 产品良率 焊接接头 接头接触 粘附性 衬底 焊接 侵入 阻挡 节约 申请 | ||
【主权项】:
1.一种倒装发光二极管芯片,其特征在于,包括:/n衬底(5),所述衬底(5)表面依次设置有N型半导体层(4)、发光层(3)、P型半导体层(2)以及P电极(1),所述N型半导体层(4)远离所述衬底(5)表面设置有N电极(6);/n多个焊料凸点(7),一个所述焊料凸点(7)设置于一个所述P电极(1)远离所述P型半导体层(2)的表面,一个所述焊料凸点(7)设置于一个所述N电极(6)远离所述N型半导体层(4)的表面,且每个所述焊料凸点(7)远离所述衬底(5)的表面为平面;/n所述P电极(1)包括至少一层凸点下金属化层,所述N电极(6)包括至少一层凸点下金属化层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连德豪光电科技有限公司,未经大连德豪光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920814528.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管封装件及包括发光二极管封装件的光照射装置
- 下一篇:一种微声能电池