[实用新型]左右对称式CVD系统有效
申请号: | 201920788266.5 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN210261994U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 孙正乾;于葛亮;唐阳;王永慧 | 申请(专利权)人: | 无锡盈芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;涂三民 |
地址: | 214187 江苏省无锡市惠*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种左右对称式CVD系统,左放样腔体的右端部与连接管的左端部固定相连,连接管的右端部与右放样腔体的左端部固定相连,在连接管的外部设有左加热炉与右加热炉,在左放样腔体的左侧设有左滑块与左驱动器,左滑块由左驱动器驱动,在左滑块上固定有左送样杆,左送样杆伸入左放样腔体与连接管内,在右放样腔体右侧设有右滑块与右加热炉,右滑块由右加热炉驱动,在右滑块上固定有右送样杆,右送样杆伸入右放样腔体与连接管内。本实用新型具有结构简单、自动化程度高、工作效率高等优点;本实用新型实现了灵活进样。 | ||
搜索关键词: | 左右 对称 cvd 系统 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的