[实用新型]薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 201920739552.2 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN209930221U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张树民;王国浩;汪泉 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜体声波谐振器，包括：SOI硅片，所述SOI硅片包括硅衬底以及依次设置在硅衬底上的埋氧层和硅结构层；二氧化硅墙结构，设置在所述硅结构层上；二氧化硅钝化层，所述二氧化硅钝化层设置在所述硅结构层背离所述硅衬底的一侧；功能器件层，所述功能器件层设置在所述二氧化硅钝化层背离所述硅衬底的一侧，并且，所述硅结构层在对应所述功能器件层的位置处设置有贯穿其厚度的通孔，以使得所述功能器件层与所述埋氧层之间形成空气隙。采用二氧化硅作为器件的支撑结构，在射频下损耗较小，功能器件层生长于SOI基片本身的硅结构层上，因晶格匹配较好，有利于生长性能更好的功能器件层，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能等有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 功能器件 硅结构层 硅衬底 二氧化硅钝化层 薄膜体声波谐振器 二氧化硅 埋氧层 背离 本实用新型 晶格匹配 器件性能 生长性能 依次设置 支撑结构 空气隙 墙结构 位置处 射频 通孔 贯穿 生长 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：/nSOI硅片，所述SOI硅片包括硅衬底以及依次设置在所述硅衬底上的埋氧层和硅结构层；/n二氧化硅墙结构，所述二氧化硅墙结构设置在所述硅结构层上；/n二氧化硅钝化层，所述二氧化硅钝化层设置在所述硅结构层背离所述硅衬底的一侧；/n功能器件层，所述功能器件层设置在所述二氧化硅钝化层背离所述硅衬底的一侧，并且，所述硅结构层在对应所述功能器件层的位置处设置有贯穿其厚度的通孔，以使得所述功能器件层与所述埋氧层之间形成空气隙。/n
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