[实用新型]新型超高频射频标签

摘要

本实用新型公开了一种新型超高频射频标签，包括基材层、射频天线和超高频射频芯片；射频天线包括位于中间位置的小环耦合天线，小环耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线，小环耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线，左、右天线对称设置；小环耦合天线的开口处且位于小环耦合天线的内部具有两方形金属片；超高频射频芯片的上方设有一大圆片，且下方设有一小圆片；大、小圆片的圆心和超高频射频芯片的中心位于同一直线；左、右天线皆包括依次连接的直线段、天线区和末端天线；天线区的宽度大于末端天线的宽度。本实用新型的射频标签可以工作于高介电常数的介质上，且在高介电常数介质的环境下，标签的读距不会衰减，也容易被识别。

主权项

1.一种新型超高频射频标签，其特征在于：包括基材层(1)、设于基材层的射频天线和与所述射频天线连接的超高频射频芯片(2)；/n所述射频天线包括位于中间位置的小环耦合天线(3)，所述小环耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，所述开口的两侧分别为左引脚(4)和右引脚(5)；/n所述小环耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线(6)，所述小环耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线(7)，所述左天线和所述右天线对称设置；所述小环耦合天线的左段和右段的宽度(W1)皆为16.87±0.1mm mm，所述小环耦合天线的宽度(W2)为5.00±0.1mm；且长度(L1)为65.12±0.5mm；/n所述小环耦合天线的开口处且位于所述小环耦合天线的内部具有两方形金属片(8)，每一方形金属片的面积皆为0.060-0.065mm²，所述超高频射频芯片放置于所述左引脚、所述右引脚、两所述方形金属片的表面，并与所述左引脚和所述右引脚信号连接；所述左引脚和所述右引脚的长度皆为5-6mm；/n所述超高频射频芯片的上方设有一大圆片(9)，且下方设有一小圆片(10)，所述大圆片的直径为0.6±0.1mm，所述小圆片的面积为0.4±0.1mm；/n所述大圆片的圆心、所述小圆片的圆心和所述超高频射频芯片的中心位于同一直线上；/n所述左天线和所述右天线皆包括依次连接的直线段(11)、天线区(12)和末端天线(13)，所述天线区向上延伸而成，所述天线区的上端横向且向内延伸形成所述末端天线；/n所述天线区的宽度(W)大于所述末端天线的宽度(W4)。/n