[实用新型]新型超高频射频标签

说明书

本实用新型公开了一种新型超高频射频标签，包括基材层、射频天线和超高频射频芯片；射频天线包括位于中间位置的小环耦合天线，小环耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线，小环耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线，左、右天线对称设置；小环耦合天线的开口处且位于小环耦合天线的内部具有两方形金属片；超高频射频芯片的上方设有一大圆片，且下方设有一小圆片；大、小圆片的圆心和超高频射频芯片的中心位于同一直线；左、右天线皆包括依次连接的直线段、天线区和末端天线；天线区的宽度大于末端天线的宽度。本实用新型的射频标签可以工作于高介电常数的介质上，且在高介电常数介质的环境下，标签的读距不会衰减，也容易被识别。

技术领域

本实用新型属于RFID(射频识别)标签技术领域，特别涉及一种新型的射频标签。

背景技术

随着射频识别RFID技术的应用范围不断扩大，RFID标签所贴附的物体种类也随之变多，且越来越复杂多变，而现在普通的RFID标签一般只能工作于某些特定的应用环境，当工作环境发生变化，特别是在高介电常数的环境下，对于超高频频段的标签天线的影响非常明显，这种影响可能致使标签读距严重衰减，甚至不能被识别到。为了克服环境对超高频标签天线的影响。

另外现有射频标签的射频天线附近往往存在寄生电容，寄生电容的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频及超高频情况下，等效值会增大，不能忽略。由于寄生电容的存在会影响射频标签的精度等。

因此需要研究一款能够克服寄生电容问题以及能够应用贴附于高介电常数物品的超高频标签天线的射频标签。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种新型超高频射频标签，本射频标签可以工作于高介电常数的介质(泡沫、玻璃、FR4等)上，且在高介电常数介质的环境下，标签的读距不会衰减，也容易被识别。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种新型超高频射频标签，包括基材层、设于基材层的射频天线和与所述射频天线连接的超高频射频芯片；

所述射频天线包括位于中间位置的小环耦合天线，所述小环耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，所述开口的两侧分别为左引脚和右引脚；

所述小环耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线，所述小环耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线，所述左天线和所述右天线对称设置；所述小环耦合天线的左段和右段的宽度皆为16.87±0.1mm mm，所述小环耦合天线的宽度为5.00±0.1mm；且长度为65.12±0.5mm；

所述小环耦合天线的开口处且位于所述小环耦合天线的内部具有两方形金属片，每一方形金属片的面积皆为0.060-0.065mm²，所述超高频射频芯片放置于所述左引脚、所述右引脚、两所述方形金属片的表面，并与所述左引脚和所述右引脚信号连接；所述左引脚和所述右引脚的长度皆为5-6mm；

所述超高频射频芯片的上方设有一大圆片，且下方设有一小圆片，所述大圆片的直径为0.6±0.1mm，所述小圆片的面积为0.4±0.1mm；

所述大圆片的圆心、所述小圆片的圆心和所述超高频射频芯片的中心位于同一直线上；

所述左天线和所述右天线皆包括依次连接的直线段、天线区和末端天线，所述天线区向上延伸而成，所述天线区的上端横向且向内延伸形成所述末端天线；

所述天线区的宽度大于所述末端天线的宽度。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的进一步技术方案是：所述天线区的面积为175-190mm²。