[实用新型]微型LED器件及微型LED阵列有效
| 申请号： | 201920537194.7 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN209561369U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰;李成果;张树昕 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/15;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种微型LED器件及微型LED阵列，涉及半导体发光器件技术领域。具体地，通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本实用新型保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 微型LED阵列 本实用新型 微型LED 离子 半导体发光器件 电学性能 高电阻区 晶格结构 平面结构 台阶结构 阵列结构 注入区域 电阻 微缩 发光 外围 互联 保留 | ||
【主权项】：
1.一种微型LED器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底一侧并间隔设置的第一高电阻层和第二高电阻层；位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间，基于所述基底制作的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层；位于所述第二高电阻层远离所述第一高电阻层一侧，基于所述基底制作的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层，其中，所述第一高电阻层和第二高电阻层的电阻大于所述第一N型半导体层、第一发光层、第一P型半导体层、第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层的电阻；与所述第二N型半导体层相接触的N型欧姆电极；基于所述第一P型半导体层制作的第一P型欧姆电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
