[实用新型]一种铁电畴调控的光读出模式存储器有效
| 申请号： | 201920411670.0 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209691401U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王建禄;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C13/04 |
| 代理公司： | 31311 上海沪慧律师事务所 | 代理人： | 郭英<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种铁电畴调控的光读出模式存储器。导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期性正‑反向畴结构，利用铁电电畴调控二维半导体WS2的光致发光强度。铁电畴极化向下区域的WS2发光强度明显强于极化向上的区域，利用荧光相机拍摄出的荧光相片呈现出与极化方向相对应的明暗区域，将这些明暗区域分别代表存储器的开态(“1”)和关态(“0”)，从而实现存储的目的。该类光电存储器具有结构简单，存储密度大，非易失性，保持特性良好，一次性可获得全部存储信息，摆脱传统读出电路限制的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 二维半导体 存储器 明暗区域 铁电畴 极化 导电 荧光 衬底 存储 制备铁电薄膜 光电存储器 铁电薄膜层 存储信息 读出电路 读出模式 非易失性 极化方向 器件制备 铁电薄膜 显微技术 相机拍摄 畴结构 一次性 调控 电畴 关态 开态 铁电 相片 制备 写入 | ||
【主权项】：
1.一种铁电畴调控的光读出模式存储器，其特征在于，器件结构自下而上依次为：衬底(1)，二维半导体(2)、铁电薄膜层(3)：/n所述的衬底(1)为任意导电材料衬底；/n所述的二维半导体(2)为单分子层过渡金属化合物WS2；/n所述的铁电薄膜层(3)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜。/n
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