[实用新型]晶片吸附垫有效
| 申请号： | 201920322095.7 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN209592006U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姜宏;李琳琳;宋士佳 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张亚辉 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶片吸附垫，吸附垫主体，吸附垫主体上设置有晶片固定腔体和晶片取放结构，晶片固定在晶片固定腔体内；晶片取放结构包括多个竖直孔和横向槽，多个竖直孔为设置在固定腔体的内壁上的向远离晶片凹陷的凹槽，横向槽设置在固定腔体的底壁上。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中的晶片在晶片吸附垫内取放容易损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片固定 吸附垫 晶片 取放 固定腔体 晶片吸附 横向槽 竖直孔 本实用新型 晶片凹陷 有效地 底壁 内壁 腔体 种晶 体内 | ||
【主权项】：
1.一种晶片吸附垫，其特征在于，包括：吸附垫主体(100)和晶片取放结构(200)，晶片固定在所述吸附垫主体(100)上；所述晶片取放结构(200)包括至少两个竖直孔(201)和横向槽(202)，所述竖直孔(201)垂直于吸附垫，所述竖直孔(201)的位置设置在晶片边缘的对应位置，所述横向槽(202)至少两个，所述横向槽(202)以任意两个竖直孔(201)为起点向吸附垫中心延伸，所述横向槽(202)自上而下设置在，且横向槽(202)竖直方向的深度小于竖直孔(201)的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
