[实用新型]一种MOSFET管导通电阻参数检测电路有效
| 申请号： | 201920268116.1 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN210051850U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/08 |
| 代理公司： | 12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 周庆路 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，待检测MOSFET管的栅极G受控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，电流采集模块的采集端用于采集流过功率电阻R1的电流信号，其输出端与控制器连接，电压采集模块的采集端用于采集待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与控制器连接，具有检测MOSFET管导通电阻参数的主要功能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率电阻 输出端 电流采集模块 电压采集模块 控制器连接 检测 导通电阻 电源模块 控制器 采集端 采集 参数检测电路 本实用新型 触发导通 电流信号 电压信号 接地 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；/n所述的功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，所述的待检测MOSFET管的栅极G受所述的控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，所述的电流采集模块的采集端用于采集流过所述的功率电阻R1的电流信号，其输出端与所述的控制器连接，所述的电压采集模块的采集端用于采集所述的待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与所述的控制器连接。/n
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