[实用新型]一种MOSFET管导通电阻参数检测电路

权利要求书

1.一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；

所述的功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，所述的待检测MOSFET管的栅极G受所述的控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，所述的电流采集模块的采集端用于采集流过所述的功率电阻R1的电流信号，其输出端与所述的控制器连接，所述的电压采集模块的采集端用于采集所述的待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与所述的控制器连接。

2.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的电流采集模块包括采集流过所述的功率电阻R1上的电流信号的电流传感器CT1和电流调理电路，所述的电流调理电路包括运算放大器芯片U2，所述的运算放大器芯片U2的输入端与电流传感器CT1的输出端连接，所述的运算放大器芯片U2的输出端与控制器的AD端口连接。

3.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的控制器的输出端I/O与所述的待检测MOSFET管的栅极G之间设置有第一驱动放大电路，所述的第一驱动放大电路包括驱动芯片U3，所述的驱动芯片U3的引脚VDD和引脚VDD均通过电容C2接地且与输出电源V2连接，所述的驱动芯片U3的引脚OUT和引脚OUT均通过电阻R15与待检测MOSFET管的栅极G连接，所述的驱动芯片U3的引脚IN与所述的控制器的输出端I/O连接，所述的驱动芯片U3的引脚AGND和引脚PGND与所述的待检测MOSFET的源极S连接并接地。

4.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的采集模块包括光电隔离Sigma-Delta调制电路，所述的光电隔离Sigma-Delta调制电路包括光耦芯片U4，所述的光耦芯片U4的电压检测端与所述的待检测MOSFET管的漏极D和源极S连接，所述的光耦芯片U4的输出端与控制器的SDFM接口连接。

5.根据权利要求3所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的电源模块包括输出电源V1、输出电源V2、输出电源V3、输出电源V4、输出电源V5和输出电源Vcc，所述的输出电源V1的输出端与所述的功率电阻R1的远离所述的待检测MOSFET管的一端连接，所述的输出电源V2的输出端与所述的第一驱动放大电路的供电端连接。

6.根据权利要求5所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，还包括第二驱动放大电路、显示屏和报警器，所述的第二驱动放大电路的输入端与所述的控制器连接，所述的第二驱动放大电路的输出端分别与所述的显示屏与报警器连接。

7.根据权利要求6所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的第二驱动放大电路包括三极管Q2，所述的三极管Q2的发射极与所述的输出电源Vcc连接，所述的三极管Q2的基极通过电阻R14与控制器连接，所述的三极管Q2的集电极分别与所述的显示屏和报警器连接。

8.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的待检测MOSFET管由NMOS管组成。

9.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的功率电阻R1和所述的待检测MOSFET管上均设置有散热片。

10.根据权利要求2所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的电流传感器CT1为霍尔传感器。