[实用新型]n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管有效
| 申请号： | 201920132535.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN209496877U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;常晓慧;王玮;宋王振;赵丹;刘璋成;王若铮;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本实用新型在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 引出电极 金刚石 场板结构 介质层 漏极 源极 场效应晶体管 本实用新型 沉积 衬底 铺设 电场集中现象 电场集中效应 器件击穿电压 单晶金刚石 外延薄膜 栅极形成 台面 钝化层 漏电极 耐压 外沿 源栅 分隔 上铺 引入 | ||
【主权项】：
1.n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，其特征在于，包括金刚石衬底(1)，所述金刚石衬底(1)上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜(2)形成的台面(3)，所述台面(3)上沉积有两个条形的介质层(4)，沿各所述介质层(4)和台面(3)的外沿分别铺设有漏极(6)和源极(5)，在两个所述介质层(4)之间铺设有栅极(7)，所述介质层(4)、漏极(6)、源极(5)和栅极(7)形成场板结构，所述源极(5)、漏极(6)和栅极(7)上分别沉积有源引出电极(9)、漏引出电极(10)和栅引出电极(11)，所述源引出电极(9)、漏引出电极(10)和栅引出电极(11)之间通过钝化层(8)相互完全分隔。
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