[发明专利]一种氮化物靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201911416943.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111153700B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王海侠;肖伟军 | 申请（专利权）人： | 欧钛鑫光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州市相城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物靶材的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明采用固相法，把粉末先用添加剂混合，放入模具用冷等静压等压制成坯体后，用气氛炉在高温600‑1000度烧结成型成氮化物靶材烧结体，可以烧结多个把靶材烧结体，工艺生产效率高。并且能提高靶材致密度，可获得高密度且无氧的纯氮化物靶材。该方法具有简便、经济、环保的工业化生产特点、可规模化制备高品质氮化物纳米粉和靶材，应用于半导体元件领域。由该方法制备的氮化物靶材生产的薄膜层致密、均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
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