[发明专利]一种沟槽型MOS器件的结构、制作工艺以及电子装置在审
| 申请号： | 201911411419.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111244177A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;李健 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人： | 刘跃 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型MOS器件的结构、制作工艺以及电子装置，其可以对沟槽栅起到保护作用，避免沟槽栅被击穿，同时能承受短路的时间较长，开关损耗小，沟槽型MOS器件的结构包括衬底层和位于衬底层上方的外延层，衬底层的下方为漏极区层，外延层上端设置有P‑阱区层，P‑阱区层上设置有N+源极区层、源极接触P+区层，N+源极区上方设置有绝缘介质层，绝缘介质层、N+源极区层、源极接触P+区层上方设置有源级金属区层，还包括穿过N+源极区和P‑阱区层、向下延伸到外延层中的沟槽，沟槽内设置有填充半导体，位于沟槽底部的外延层中设置有P+区层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 器件 结构 制作 工艺 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
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