[发明专利]晶圆表面金属合金化处理方法有效
| 申请号： | 201911398469.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128873B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 宁润涛;黄康荣;孟令成;黄伟 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆表面金属合金化处理方法，在晶圆表面形成金属层后进行第一次合金化退火处理，在形成钝化层后进行第二次合金化退火处理。与现有技术相比，本发明通过在金属层形成后增加一次合金化退火处理，改善晶圆上各器件的阈值电压的分布情况，使晶圆上各器件的阈值电压分布在较小的范围内，分布更加集中，有利于使更多器件的阈值电压落在标准范围内，减少了因阈值电压不符合电性参数标准而导致的器件不合格，从而提升了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 金属 合金 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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