[发明专利]CMOS图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 201911391898.9 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111146227A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，在图像传感器像素区域晶体管中的接触孔区域，布局设计长方形的电性接触结构，提高图像传感器的性能；此外，在形成图像传感器晶体管栅极以及第一次轻掺杂漏极/源极离子注入后，进行像素区域的第二次轻掺杂漏极/源极离子注入，增大像素区域晶体管之间的N型掺杂结的浓度、范围，一方面可保证像素区域的N型掺杂结包围住后续形成的电性接触结构；另一方面，可降低像素区域读出电路的电阻，提高图像传感器的读出速度，提高图像传感器的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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