[发明专利]一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法在审
| 申请号： | 201911385181.3 | 申请日： | 2019-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111181518A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 黄开松 | 申请（专利权）人： | 珠海市东恒电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/42 | 分类号： | H03H7/42 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郭堃 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，所述平衡非平衡射频转换元器件包括隔热层、绝缘层、基层板、集电层和保护层，S1、将基层板表面清洗干净，厚度控制在1mm‑3mm之间；S2、基层板底部涂覆绝缘层，并在绝缘层的底部镀上一层隔热层；S3、将集电层固定在基层板的顶部，制成半成品，然后在半成品的上表面喷涂保护层，本发明涉及射频转换器技术领域。该平衡非平衡射频转换元器件制程方法，步骤简洁，且集电层与成品可以分开进行，降低企业的经济负担，加工效率较高，集电层由硅晶片和砷化镓材料制成，结合了硅和砷化镓材料共同的特性，使该射频转换元器件具有较高电子迁移率的同时，降低了加工成本，实用性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平衡 射频 转换 元器件 方法 | ||
【主权项】：
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