[发明专利]一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法

说明书

本发明公开了一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，所述平衡非平衡射频转换元器件包括隔热层、绝缘层、基层板、集电层和保护层，S1、将基层板表面清洗干净，厚度控制在1mm‑3mm之间；S2、基层板底部涂覆绝缘层，并在绝缘层的底部镀上一层隔热层；S3、将集电层固定在基层板的顶部，制成半成品，然后在半成品的上表面喷涂保护层，本发明涉及射频转换器技术领域。该平衡非平衡射频转换元器件制程方法，步骤简洁，且集电层与成品可以分开进行，降低企业的经济负担，加工效率较高，集电层由硅晶片和砷化镓材料制成，结合了硅和砷化镓材料共同的特性，使该射频转换元器件具有较高电子迁移率的同时，降低了加工成本，实用性较好。

技术领域

本发明涉及射频转换器技术领域，具体为一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法。

背景技术

射频转换器，属于广播电视及宽带网络应用领域，包括一个转换器的机壳，其后面板上具有一路射频信号输入端子，前面板上具有多路AV输出端子，状态指示灯及遥控接收窗，机壳内部含有一块集成电路板，该电路包含7个部分，它们是由射频信号多路分配单元、射频信号调谐及中放单元、它通过控制总线连接到CPU中央处理单元及非易失性存储器，以及分别与CPU相连的红外遥控信号调制发射单元和红外信号接收解调单元，还有多路信号状态指示灯和信号输出部分，平衡非平衡转换器是是两种不同传输媒介进行信号传输匹配必不可少的基本设备，平衡意味着两个通道以不同方式传递信号，非平衡意味着一个通道接地，另一个通道传递信号。

现有的平衡非平衡射频转换元器件一般结构较为复杂，导致制作过程繁琐，加工成本较高，且加工效率低下，另外，现有的平衡非平衡射频转换元器件通常采用同一种材料制作而成，无法同时发挥出不同材料的特性，性能较差。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，解决了制作过程繁琐，加工效率低下，无法同时发挥出不同材料的特性，性能较差的问题。

(二)技术方案

1.为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，所述平衡非平衡射频转换元器件包括隔热层、绝缘层、基层板、集电层和保护层，所述隔热层的顶部通过粘合剂与绝缘层的底部固定连接，并且绝缘层的顶部通过粘合剂与基层板的底部固定连接，所述基层板的顶部通过粘合剂与集电层的底部固定连接，其制作方法具体包括以下步骤：

S1、将基层板表面清洗干净，利用氢氟酸作为蚀刻剂去除基层板表面的氧化层，然后利用磨削装置对基层板的表面进行打磨，将基层板厚度控制在 1mm-3mm之间；

S2、在步骤S1中处理后的基层板底部涂覆绝缘层，并在绝缘层的底部镀上一层隔热层；

S3、利用粘结剂将集电层固定在基层板的顶部，制成半成品，然后将该半成品放置到喷涂装置中，将频率大于20KHz的振荡电能通过压电陶瓷换能器转换成机械能，把阻焊剂雾化,经压力喷涂到半成品的上表面形成保护层。

优选的，所述基层板为改性PCB板材。

优选的，所述隔热层包括玻璃纤维、粘合剂和增韧剂，并且隔热层由玻璃纤维、粘合剂和增韧剂混合干燥而成。

优选的，所述绝缘层以氧化铝或氮化硅为原料，以陶瓷纳米微粒为成膜物。

优选的，所述集电层包括硅晶圆层和砷化镓层，其制备方法具体包括以下步骤：

a1、将块状的高纯度多晶硅置石英坩锅内，加热到1450℃-1600℃，使其完全融化，待硅融浆的温度稳定之后，将统一方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到5mm-7mm，维持此直径并拉长 100mm-200mm，然后慢慢降低提升速度和温度，使颈直径逐渐加响应到所需尺寸，不断调整提升速度和熔炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值；