[发明专利]一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法

权利要求书

1.一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，所述平衡非平衡射频转换元器件包括隔热层、绝缘层、基层板、集电层和保护层，所述隔热层的顶部通过粘合剂与绝缘层的底部固定连接，并且绝缘层的顶部通过粘合剂与基层板的底部固定连接，所述基层板的顶部通过粘合剂与集电层的底部固定连接，其特征在于：其制作方法具体包括以下步骤：

S1、将基层板表面清洗干净，利用氢氟酸作为蚀刻剂去除基层板表面的氧化层，然后利用磨削装置对基层板的表面进行打磨，将基层板厚度控制在1mm-3mm之间；

S2、在步骤S1中处理后的基层板底部涂覆绝缘层，并在绝缘层的底部镀上一层隔热层；

S3、利用粘结剂将集电层固定在基层板的顶部，制成半成品，然后将该半成品放置到喷涂装置中，将频率大于20KHz的振荡电能通过压电陶瓷换能器转换成机械能，把阻焊剂雾化,经压力喷涂到半成品的上表面形成保护层。

2.根据权利要求1所述的一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，其特征在于：所述基层板为改性PCB板材。

3.根据权利要求1所述的一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，其特征在于：所述隔热层包括玻璃纤维、粘合剂和增韧剂，并且隔热层由玻璃纤维、粘合剂和增韧剂混合干燥而成。

4.根据权利要求1所述的一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，其特征在于：所述绝缘层以氧化铝或氮化硅为原料，以陶瓷纳米微粒为成膜物。

5.根据权利要求1所述的一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，其特征在于：所述集电层包括硅晶圆层和砷化镓层，其制备方法具体包括以下步骤：

a1、将块状的高纯度多晶硅置石英坩锅内，加热到1450℃-1600℃，使其完全融化，待硅融浆的温度稳定之后，将统一方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到5mm-7mm，维持此直径并拉长100mm-200mm，然后慢慢降低提升速度和温度，使颈直径逐渐加响应到所需尺寸，不断调整提升速度和熔炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值；

a1、当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，最终使晶棒与液面完全分离，制得晶棒，将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，最后进行修整、研磨，使晶棒的尺寸、形状误差均小于允许偏差；

a2、采用环状、其内径边缘嵌有钻石颗粒的薄锯片将晶棒切割成薄片，并修整晶片边缘形状和外径尺寸，然后进行研磨、蚀刻、去疵、抛光和清洗，最后烘干备用；

a3、将步骤a2中制得的晶片放置到蒸镀设备中，在真空环境下，将砷化镓蒸镀到晶片的表面，形成集电层。

6.根据权利要求4所述的一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，其特征在于：所述蒸镀温度为1240℃-1260℃。