[发明专利]一种基于GaAs工艺的ESD保护电路在审
| 申请号： | 201911344968.5 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110993601A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林宗伟;潘晓枫;林瑞;李颂;江伦伯;徐波 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 葛潇敏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于GaAs工艺的ESD保护电路，第一至第N肖特基二极管同向串联，且第一肖特基二极管的正极连接电源电压，第N肖特基二极管的负极经第一电阻接地并连接第一PHEMT管的栅极；第一电容的一端连接电源电压，第一电容的另一端连接第二PHEMT管的栅极以及经第二电阻接地；第N+1肖特基二极管的正极连接电源电压，负极连接第N+2肖特基二极管的正极，第N+2肖特基二极管的负极连接第二PHEMT管的漏极；第一PHEMT管的漏极连接第二PHEMT管的源极，第一PHEMT管的源极接地。此种电路能够在上电瞬间避免ESD保护电路误触发的问题，且在受到外界巨大的脉冲扰动时，能够快速提供动态泄放通路，实现了双检测的保护机制，从而保证了芯片的安全可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 工艺 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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