[发明专利]多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用在审
申请号: | 201911344320.8 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN113036039A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 江浪;李海阳;石燕君;刘洁;刘江虹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/05 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 王春霞 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用。所述制备方法包括如下步骤:以有机小分子为原料,通过对基底表面能的调控,利用滴注法即在所述基底得到多孔或无孔单分子层晶体;所述滴注法采用的溶剂为甲苯、邻二甲苯、氯苯或邻二氯苯;所采用的溶液的浓度为0.01~1mg/mL;采用等离子体清洗、OTS、BCB、Cytop或PMMA调控所述基底表面能。本发明采用“自下而上”的组装工艺直接可控的制备多孔和无孔单分子层晶体,不仅可以有效降低有机半导体层的厚度,将待测物扩散距离降至最低(单分子层厚度),克服半导体层厚度对传感灵敏度的限制,而且还可以直接制备多孔单分子层晶体,为待测物提供了与载流子直接作用的通道,可极大的提高其传感灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 多孔 单分子层 晶体 可控 制备 应用 | ||
【主权项】:
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