[发明专利]多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用在审

专利信息
申请号: 201911344320.8 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN113036039A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 江浪;李海阳;石燕君;刘洁;刘江虹 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/05
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 王春霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用。所述制备方法包括如下步骤:以有机小分子为原料,通过对基底表面能的调控,利用滴注法即在所述基底得到多孔或无孔单分子层晶体;所述滴注法采用的溶剂为甲苯、邻二甲苯、氯苯或邻二氯苯;所采用的溶液的浓度为0.01~1mg/mL;采用等离子体清洗、OTS、BCB、Cytop或PMMA调控所述基底表面能。本发明采用“自下而上”的组装工艺直接可控的制备多孔和无孔单分子层晶体,不仅可以有效降低有机半导体层的厚度,将待测物扩散距离降至最低(单分子层厚度),克服半导体层厚度对传感灵敏度的限制,而且还可以直接制备多孔单分子层晶体,为待测物提供了与载流子直接作用的通道,可极大的提高其传感灵敏度。
搜索关键词: 多孔 单分子层 晶体 可控 制备 应用
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