[发明专利]一种片式氧传感器芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201911335312.7 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111103326A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 于金营 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 青岛小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 37282 | 代理人： | 周莉 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片式氧传感器芯片的制造方法，其结构为上层功能片、中间通道形成片和下层片，依次叠层热压制作成一整体，上片集成传感单元和加热电阻，加热电阻和外电极在上片平面上交错印刷在芯片头部区域，各自通过引线与引脚连接，并在底层印刷双层绝缘层从而形成对称绝缘。本发明的方法消除了在中片和下片之间印刷上下绝缘层对芯片整体强度的影响，使得芯片最终强度提高；降低了单侧弯曲变形的影响；没有加热电阻的穿层导电孔，工艺简单，绝缘效果更好，整体制造成本进一步降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片式氧 传感器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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