[发明专利]一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构在审

专利信息
申请号: 201911330998.0 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111045271A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 范诗佳;刘永;张旨遥;张尚剑;孙豹 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02F1/21 分类号: G02F1/21;G02F1/01;G02F1/225
代理公司: 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 代理人: 李双
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构,包括微环波导结构、输入端2×2的3dBMMI、输出端2×2的3dBMMI、非平衡型MZ相位调制结构;微环波导结构一端与所述输入端2×2的3dBMMI的输入端口相连,微环波导结构另一端与所述输出端2×2的3dBMMI的输出端口相连;所述的非平衡型MZ相位调制结构一端与输入端2×2的3dBMMI的输出端口连接,另一端与输出端2×2的3dBMMI的输入端口连接。本发明提出了一种新的微环耦合调制结构,基于此结构的微环调制器能够微调微环与直波导间的耦合效率,使其达到我们想要的某一特定值,且精度较高,从而在需要精确控制耦合效率的应用场景中发挥作用,该结构对于线性化的集成光子器件有着重要应用价值。
搜索关键词: 一种 耦合 效率 电压 微调 硅微环 调制 结构
【主权项】:
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