[发明专利]一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构

权利要求书

1. 一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构，其特征在于：包括微环波导结构、输入端2×2的3dBMMI、输出端2×2的3dBMMI、非平衡型MZ相位调制结构；微环波导结构一端与所述输入端2×2的3dBMMI的输入端口相连，微环波导结构另一端与所述输出端2×2的3dBMMI的输出端口相连； 所述的非平衡型MZ相位调制结构一端与输入端2×2的3dBMMI的输出端口连接，另一端与输出端2×2的3dBMMI的输入端口连接。

2.根据权利要求1所述的一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构，其特征在于，所述非平衡型MZ相位调制器结构包括一个单模波导短臂和带有弯曲的单模波导长臂；所述输入端2×2的3dBMMI的输入端口一输入光信号，输入端口二连接微环波导结构一端，输出端口一连接所述非平衡型MZ相位调制结构的短臂，输出端口二连接所述非平衡型MZ相位调制结构的长臂；所述输出端2×2的3dBMMI的输入端口一连接所述非平衡型MZ相位调制结构的短臂，输入端口二连接所述非平衡型MZ相位调制结构的长臂，输出端口一连接微环波导结构另一端，输出端口二输出光信号。

3.根据权利要求1所述的一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构，其特征在于，所述微环波导结构为单模波导，所述的微环波导结构由两个二分之一圆弧波导和一段直波导构成。

4.根据权利要求1所述的一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构，其特征在于，结构中的波导采用脊形波导；波导材料为硅；基底的材料为二氧化硅、硅、Ⅲ-Ⅴ族材料中任一一种。

5.根据权利要求2所述的一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构，其特征在于，所述带有弯曲的单模波导长臂由两段直单模波导和一段弯曲单模波导构成；所述带有弯曲的单模波导长臂在光传输方向与所述的单模波导短臂的尺寸相同。

6.根据权利要求4所述一段弯曲单模波导，其特征在于：所述一段弯曲单模波导经过横向PN掺杂且两边加上调制电极。

7.根据权利要求1所述的一种耦合效率可电压微调的硅微环耦合调制结构，其特征在于，耦合效率电压微调包括以下步骤：

对所述输入端2×2的3dBMMI的输入端口一加上输入光信号；

调节所述输入端2×2的3dBMMI的输入端口一的输入光信号波长，使得耦合效率接近目标耦合效率，直到到达目标耦合效率；

对所述非平衡型MZ相位调制结构的两调制电极加上调制电压；

调节加在所述非平衡型MZ相位调制结构上两调制电极上的调制电压，使得耦合效率达到目标耦合效率。