[发明专利]用于三维NAND的堆叠架构在审
| 申请号： | 201911319706.3 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111354680A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | S·莫利安;J·A·德拉克鲁斯;常旭;B·哈巴;R·坎卡尔 | 申请（专利权）人： | 艾克瑟尔西斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“用于三维NAND的堆叠架构”。本公开的多个方面涉及形成具有多个存储器区段的堆叠NAND。形成具有多个存储器区段的堆叠NAND可包括在牺牲衬底上形成第一存储器区段。可在衬底上形成逻辑区段。可将逻辑区段键合到第一存储器区段。可从第一存储器区段移除牺牲衬底，并且可形成具有第二牺牲衬底的第二存储器区段并将其键合到第一存储器区段。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 nand 堆叠 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克瑟尔西斯公司，未经艾克瑟尔西斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911319706.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线圈部件
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
