[发明专利]一种超结逆导型栅控双极型器件有效
| 申请号： | 201911310477.9 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110993687B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 郑崇芝;李青岭;夏云;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。第二漂移区一侧，正向导通时为双极导电，内部发生电导调制效应，因此器件导通压降较低，而在反向导通时不参与导电。本发明的有益成果：正向导通时为双极型导电，具有反向导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超结逆导型栅控双极型 器件 | ||
【主权项】：
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