[发明专利]近红外发光二极管及包括近红外发光二极管的装置在审
| 申请号： | 201911298366.0 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111446376A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 金明淑;姜宣宇;高秀秉;芮志明;俞炳旭;赵一薰 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及包括含锇(Os)的有机金属化合物的近红外发光二极管和包括所述近红外发光二极管的装置。所述近红外发光二极管包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括近红外发光层，所述近红外发光层包括所述含锇(Os)的有机金属化合物，并且所述含锇(Os)的有机金属化合物被配置为发射具有680nm以上至3,000nm以下的范围的最大发射波长的近红外光。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 发光二极管 包括 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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