[发明专利]一种具有局域等离子体增强效应的LED的制备方法在审
| 申请号： | 201911289812.1 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828624A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 万巍;陈湛旭;丁润宏 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G02B5/00 |
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| 地址： | 510665 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有局域等离子体增强效应的发光二极管(LED)的制备方法。该工艺方法主要是：先利用纳米球掩膜刻蚀技术，在LED的P‑GaN层刻蚀出相应的纳米凹槽，然后在P‑GaN层表面滴上匹配LED发光波长的金属纳米颗粒溶液，让溶液在P‑GaN层表面均匀分布，烘干后金属颗粒会沉积在纳米凹槽内，然后沉积电流隔离层，最后去掉相关的纳米球掩膜，这样金属纳米纳米颗粒和电流隔离层可以填在纳米凹槽内，最后利用常规的工艺制作电极。结果表明，本发明的方法能有效地在LED芯片的量子阱附近制备匹配LED发光波长的金属纳米颗粒，为制备具有局域表面等离子体增强效应的LED提供一种有效的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 局域 等离子体 增强 效应 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
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