[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911271755.4 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110931373B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 胡杏;刘天建;周玉 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成有覆盖层，覆盖层上形成有图案化的顶层金属层，沉积覆盖图案化的顶层金属层的第一介质层，而后进行第一介质层的平坦化，以去除图案化的顶层金属层上至少部分厚度的第一介质层，在第一介质层和图案化的顶层金属层上依次形成刻蚀停止层以及第二介质层。该方法在形成图案化的顶层金属层后，在图案化的顶层金属层上沉积第一介质层，减小图案化的顶层金属层之间的第一介质层的深宽比，避免气泡的产生，提高键合表面的平整度，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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