[发明专利]存储器电路和形成存储器电路的方法在审
| 申请号： | 201911253037.4 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111292785A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·军林 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及存储器电路和形成存储器电路的方法。形成存储器电路的方法包括使用数字线掩模以形成以下两者：(a)存储器阵列区域中的导电数字线，和(b)在所述存储器阵列区域外侧的外围电路区域中的导电通孔的下部部分。所述通孔的所述下部部分与所述通孔和所述数字线下方的电路电耦合。导电字线的对形成于所述存储器阵列区域中的所述数字线上方。所述字线的对从所述存储器阵列区域延伸到所述外围电路区域中。所述对中的个别者在所述通孔中的个别者的所述下部部分中的个别者正上方。形成所述个别通孔的个别上部部分。所述个别上部部分：(c)直接电耦合到所述个别通孔的所述个别下部部分中的一个，且(d)将个别对字线的在相应个别通孔的相应一个个别下部部分正上方的字线直接电耦合在一起。揭示了其它方法和不依赖于制造方法的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 形成 方法 | ||
【主权项】：
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