“沃纳·军林”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法-CN201810985471.0有效
发明人： 沃纳·军林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含形成集成组件的方法。第一导电结构形成于绝缘支撑材料内并沿第一间距间隔。去除所述第一导电结构的上部区域以形成延伸穿过所述绝缘支撑材料并在所述第一导电结构的下部区域的上方的第一开口。所述第一开口的外侧周边加衬有间隔材料。所述间隔材料被配置成具有延伸穿过其到所述第一导电结构的所述下部区域的第二开口的导管。导电互连件形成于所述导管内。第二导电结构形成于所述间隔材料和所述导电互连件的上方。所述第二导电结构沿第二间距间隔，其中所述第二间距小于所述第一间距。一些实施例包含集成组件。
集成组件形成方法

[发明专利]具有沿第一间距的结构与沿不同于第一间距的第二间距的结构耦接的集成组件及其形成方法-CN201810985871.1有效
发明人： 沃纳·军林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及具有沿第一间距的结构与沿不同于所述第一间距的第二间距的结构耦接的集成组件，和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种形成集成组件的方法。导电线被形成为沿第一方向延伸，并且彼此间隔第一间距。保护旋钮形成于所述导电线的上方并以行布置。在每一行内的所述保护旋钮沿大于所述第一间距的第二间距间隔。所述保护旋钮保护所述导电线的区域而使所述导电线的其它区域未受保护。使所述未受保护的区域凹陷以使得所述保护区域变成高区域且所述未受保护的区域变成矮区域。去除所述保护旋钮。使导电结构形成于所述导电线的上方。所述导电结构沿所述第二间距间隔。所述导电线中的每一者唯一地耦接到所述导电结构中的仅一者。一些实施例包含集成组件。
具有第一间距结构不同于第二集成组件及其形成方法

[发明专利]集成式组合件及其形成方法-CN201911251568.X在审
发明人： 沃纳·军林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成式组合件及其形成方法。一些实施例包含一种具有含半导体的结构的集成式组合件，所述含半导体的结构具有竖直在上部区和下部区之间的主体区。所述上部区包含第一源极/漏极区。所述下部区拆分成两个支脚，所述两个支脚两者均连结到所述主体区。所述支脚中的一个包含第二源极/漏极区，且所述支脚中的另一个包含主体接触区。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区具有第一导电类型，且所述主体接触区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。绝缘材料邻近所述主体区。导电栅极邻近所述绝缘材料。晶体管包含所述含半导体的结构、所述导电栅极和所述绝缘材料。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
集成组合及其形成方法

[发明专利]包括冗余布线线路的集成式组合件，和具有延伸穿过其中的开口的集成电路层面-CN201911251618.4在审
发明人： 沃纳·军林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及包括冗余布线线路的集成式组合件，和具有延伸穿过其中的开口的集成电路层面。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有由层面支撑且沿着纵向方向延伸的导电线。所述导电线被配置成携载电信号。连接区沿着所述导电线。所述导电线在其穿过所述连接区时分成多个分量。所述分量沿着与所述纵向方向正交的侧向方向彼此隔开地散布。开口竖直地延伸穿过所述层面且穿过所述连接区。所述开口破坏所述导电线的所述分量中的一个，而使所述分量中的另一个仍能跨越所述连接区携载所述电信号。
包括冗余布线线路集成组合具有延伸穿过中的开口集成电路层面

[发明专利]存储器电路和形成存储器电路的方法-CN201911253037.4在审
发明人： 沃纳·军林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器电路和形成存储器电路的方法。形成存储器电路的方法包括使用数字线掩模以形成以下两者：(a)存储器阵列区域中的导电数字线，和(b)在所述存储器阵列区域外侧的外围电路区域中的导电通孔的下部部分。所述通孔的所述下部部分与所述通孔和所述数字线下方的电路电耦合。导电字线的对形成于所述存储器阵列区域中的所述数字线上方。所述字线的对从所述存储器阵列区域延伸到所述外围电路区域中。所述对中的个别者在所述通孔中的个别者的所述下部部分中的个别者正上方。形成所述个别通孔的个别上部部分。所述个别上部部分：(c)直接电耦合到所述个别通孔的所述个别下部部分中的一个，且(d)将个别对字线的在相应个别通孔的相应一个个别下部部分正上方的字线直接电耦合在一起。揭示了其它方法和不依赖于制造方法的结构。
存储器电路形成方法