[发明专利]用于厚膜沉积的物理气相沉积设备有效
申请号: | 201911250477.4 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN110670042B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 宋维聪;周云;睢智峰 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/04;C23C14/54 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 贺妮妮 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于厚膜沉积的物理气相沉积设备,包括:永磁装置、靶材、晶圆基座、腔壁;还包括腔壁挡板,其一端固定在靶材与腔壁之间,另一端为自由端,腔壁挡板中设有容置冷却管的第一冷却管腔;晶圆遮蔽环,包括垂直部及与水平部,水平部呈环形设置于晶圆上方边缘,垂直部设置于水平部下方外周,垂直部中设有容置冷却管的第二冷却管腔,水平部靠近垂直部的一端设置有凹槽;遮蔽环支持调节装置,包括顶针、顶针环、连杆及传动机构,顶针的一端插入凹槽中,另一端与顶针环固定连接,顶针环通过连杆与设置于外部的传动机构连接,顶针环围在晶圆基座的外周。该设备在沉积过程中可有效实现对晶圆、沉积腔及工艺套件的冷却和控温。 | ||
搜索关键词: | 用于 沉积 物理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于厚膜沉积的物理气相沉积设备,包括:永磁装置、靶材、晶圆基座及腔壁,所述靶材与所述腔壁构成沉积腔体,所述靶材位于所述沉积腔体顶部,所述永磁装置位于所述靶材上方,其特征在于,所述用于厚膜沉积的物理气相沉积设备还包括:/n腔壁挡板,设置于所述腔壁的内部四周,所述腔壁挡板的一端固定在所述靶材与所述腔壁之间,另一端为自由端,所述腔壁挡板中设有第一冷却管腔,用于容置第一冷却管;/n晶圆遮蔽环,包括垂直部及与之连接的水平部,所述水平部呈环形设置于晶圆上方边缘,所述垂直部设置于所述水平部下方外周,所述垂直部中设有第二冷却管腔,用于容置第二冷却管,所述水平部靠近所述垂直部的一端设置有凹槽;/n遮蔽环支持调节装置,包括顶针、顶针环、连杆及传动机构,所述顶针的一端插入所述凹槽中,另一端与所述顶针环固定连接,所述顶针环通过所述连杆与设置于所述沉积腔体外的所述传动机构连接,所述顶针环围在所述晶圆基座的外周,所述传动机构的升降通过所述连杆、顶针环及顶针实现对所述晶圆遮蔽环的高度的调整。/n
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