[发明专利]直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法有效
| 申请号： | 201911235558.7 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111039318B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 黄昊;吴爱民;刘强 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法，其特征在于具有如下步骤：将纯锡块通过直流电弧等离子体技术制备成纯Sn纳米粒子作为前驱体，并将其与单质硫以摩尔比1:1～1:3的比例混合均匀，得到锡硫混合物；将锡硫混合物转移至密封腔中，将密封腔抽真空后密封，将密封腔至于硫化反应炉体进行硫化反应，硫化反应温度为200℃～250℃；硫化反应结束后，随炉冷却至室温，对密封腔内的样品进行研磨并进行去硫处理，之后，随炉冷却至室温，得到SnS纳米材料。本发明使用纯锡和单质硫作为锡源和硫源，成本低廉，通过控制锡硫用量，反应时间，反应温度得到SnS纳米材料，操作简单，适合商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 电弧 等离子体 制备 sns 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
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