[发明专利]磁性随机存储器之读写电路在审
| 申请号： | 201911233570.4 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112927736A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 叶力;何伟伟;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁性随机存储器(MRAM)之读写电路，每个数据单元包括，开关晶体管、磁性隧道结(MTJ)、字线连接、源极线连接和位线连接，其特征在于：包括多个数据单元及多个的参考单元，位线驱动电路和源极线驱动电路，写入电压偏移调整电路用以实现针对写入操作时感知电压，数据选择电路切换电压的输出，灵敏放大器结合时序控制负责将信号进行有效放大，并通过SR锁存器将数据转换成数字信号，写入终止电路用以将前述SR锁存器输出的数据信号来控制写入操作完成与否。本发明采用同一套电路在不同的直流工作点下分别实现读取功能、写入功能、写入状态监控功能，即能降低功耗，还可以增加可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 读写 电路 | ||
【主权项】：
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