[发明专利]磁性随机存储器之读写电路在审

专利信息
申请号: 201911233570.4 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN112927736A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 叶力;何伟伟;戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201815 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 磁性 随机 存储器 读写 电路
【权利要求书】:

1.一种磁性随机存储器之读写电路,所述磁性随机存储器阵列内的每个数据单元包括,开关晶体管、磁性隧道结、字线连接、源极线连接和位线连接,其特征在于,包括:

多个数据单元及多个参考单元;

位线驱动电路和源极线驱动电路用以分别实现位线端信号流和源极线端信号流控制;

写入电压偏移调整电路用以实现针对写入操作时感知电压;

数据选择电路用以根据读取操作或写入操作来切换读取参考电压、感知电压与写入参考电压、写入感知偏移电压的输出;

灵敏放大器结合时序控制负责将数据选择电路的两端信号进行有效放大,并通过SR锁存器将数据转换成数字信号,在读取操作下直接将数据信号送到外围、在写入操作下将数据信号送到写入终止电路;

所述写入终止电路用以将前述SR锁存器输出的数据信号来控制写入操作完成与否,在写入操作完成后,将相应写入使能控制信号拉低,同时将关闭前述灵敏放大器。

2.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,针对目标数据单元进行写入操作时,所述参考单元只选择磁性隧道结具有欲写入状态相同磁化状态的组合;优选地,参考单元为多个并联。

3.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,针对目标数据单元进行读取操作时,所述参考单元选择磁性隧道结具不同磁化状态的组合;优选地,参考单元为多个并联。

4.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,所述位线驱动电路在读取操作时采用恒流源设置。

5.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,所述位线驱动电路和源极线驱动电路在写入操作时采用恒压源设置。

6.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,所述位线驱动电路在读取状态的电位比写入状态低。

7.根据权利要求6所述的读写电路,其特征在于,所述数据单元在写入状态时,通过所述写入电压偏移调整电路来调整写入参考电压,等效地实现参考单元组态平移,用以提高写入操作判断准确率。

8.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,所述写电压偏移调整电路包含电流检测功能,通过前述电流检测所述参考单元内部的写入电压值。

9.根据权利要求1所述的读写电路,其特征在于,所述位线驱动电路和源极线驱动电路在写入通路上的开关晶体管的等效电阻不能太小,避免影响感知电位与参考电位差,从而影响所述灵敏放大器的放大效果。

10.根据权利要求9所述的读写电路,其特征在于,所述位线驱动电路和源极线驱动电路通过配置写入通路上开关晶体管的尺寸,使在正常写入操作时的工作状态处于线性区,使更多的压降落在所述目标单元。

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