[发明专利]光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法在审
| 申请号： | 201911232003.7 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111128692A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;冷江华;胡蔚;刘珩 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，包括步骤：步骤一、在晶圆上依次形成ODL层、SHB层和PR层；步骤二、在形成各层薄膜的过程中或者形成PR层并进行显影之后进行检查，如果检查出现问题，则进行后续步骤三；步骤三、返工工艺包括分步骤：步骤31、进行去除PR层的工艺；步骤32、进行去除SHB层的工艺；步骤33、进行去除ODL层的工艺；步骤二中如果检查到ODL层出现问题，则在形成SHB层之前进行返工工艺，对步骤31和步骤32进行设置，保证步骤31完成之后在晶圆表面保留有ODL层，使得在进行步骤32中对晶圆进行保护。本发明能避免在中间的SHB层形成之前进行返工时对晶圆表面产生损伤，从而能防止由此造成的晶圆报废。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 站点 三层 薄膜 堆叠 结构 返工 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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