[发明专利]光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法

权利要求书

1.一种光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供需要进行光刻工艺的晶圆，在所述晶圆上依次形成ODL层、SHB层和PR层，由所述ODL层、所述SHB层和所述PR层形成光刻站点对应的三层薄膜堆叠结构；

步骤二、在形成所述ODL层、所述SHB层和所述PR层的过程中或者形成所述PR层之后并进行显影之后对所述三层薄膜堆叠结构进行检查，如果检查出现问题，则进行后续步骤三；如果检查结果正常，则继续进行后续相应的光刻或刻蚀工艺；

步骤三、所述返工工艺包括分步骤：

步骤31、进行去除所述PR层的工艺；

步骤32、进行去除所述SHB层的工艺；

步骤33、进行去除所述ODL层的工艺；

步骤二中如果检查到所述ODL层出现问题，则在形成所述SHB层之前进行所述返工工艺，对步骤31和步骤32进行设置，保证步骤31完成之后在所述晶圆表面保留有所述ODL层，使得在进行步骤32中对所述晶圆进行保护，所述ODL层在所述步骤33中完全去除。

2.如权利要求1所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：所述ODL层采用SOC。

3.如权利要求1所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：所述SHB层采用硅BARC。

4.如权利要求3所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤31中采用溶剂溶解工艺去除所述PR层。

5.如权利要求4所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：所述溶剂溶解工艺包括光刻胶减量工艺。

6.如权利要求5所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤32中采用干法刻蚀工艺去除所述SHB层。

7.如权利要求6所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：去除所述SHB层的干法刻蚀的刻蚀气体采用基于CxFy气体。

8.如权利要求7所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤32中去除所述SHB层的干法刻蚀的射频频率采用双频率，通过调节干法刻蚀的压力调节刻蚀的均匀性，去除所述SHB层的干法刻蚀的终止条件采用时间控制或采用终点检测控制。

9.如权利要求5所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤33中采用干法刻蚀工艺去除所述ODL层。

10.如权利要求9所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤33去除所述ODL层的干法刻蚀的刻蚀气体采用基于O2或基于N2和H2的气体。

11.如权利要求10所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤33中去除所述ODL层的干法刻蚀的射频频率为60MHZ，通过调节干法刻蚀的压力调节刻蚀的均匀性。

12.如权利要求1所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤三完成所述返工工艺后，还包括：对所述晶圆进行湿法清洗以及背面清洗的步骤；之后重新开始步骤一直至光刻工艺完成。

13.如权利要求1所述的光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，其特征在于：步骤一中的光刻工艺站点对应于铜互连通孔的光刻工艺，所述铜互连通孔穿过第一低K介质层，在所述第一低K介质层上形成有第二DARC层，在所述第二DARC层的表面上形成有图形化的第三金属硬掩模层；

所述三层薄膜堆叠结构涂布在形成有所述第三金属硬掩模层的所述第二DARC层上。