[发明专利]一种晶体生长的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201911229012.0 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN111041553B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 张虎;刘圆圆;周敏;郑荣庆;高立志;刘伟;周国顺 申请(专利权)人: 山东天岳先进科技股份有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 王宽
地址: 250118 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种晶体生长的装置及方法,该装置包括:上坩埚,其用于晶体的生长,上坩埚的底部设置有多个上筛孔;下坩埚,其位于上坩埚的下方,下坩埚的底部封闭,顶部设置有多个下筛孔,下筛孔与上筛孔错位设置;升降装置,包括控制上坩埚移动的第一升降装置及控制下坩埚移动的第二升降装置。本发明装置能保证粉料碳化均匀彻底,还能随时收集碳化后的粉料,大大减少了包裹体、微管、位错等缺陷。本发明方法通过控制上坩埚的升降,使上坩埚和下坩埚贴合对接,达到晶体生长用粉料碳化均匀彻底,晶体生长缺陷少;且通过控制下坩埚的升降,使上坩埚和下坩埚分离,下坩埚收集碳化后的粉料,达到上下筛孔的定时开关、闭合,实现高品质晶体生长。
搜索关键词: 一种 晶体生长 装置 方法
【主权项】:
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