[发明专利]一种银铋硫薄膜光电探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911222945.7 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN110911568A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 林乾乾;江力 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 杨晓燕
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及了一种银铋硫薄膜光电探测器及其制备方法。该光电探测器包括透明导电基底、空穴传输层、电子传输层、界面修饰层和电极,还包括银铋硫薄膜。其制备为:1)将银源、铋源以及硫源加入溶剂中得到银铋硫前驱体溶液;2)将步骤1)中的银铋硫前驱体溶液旋涂在沉积有空穴传输层或者电子传输层的透明导电基底上,在100~200℃范围内分步退火制得银铋硫薄膜;3)将步骤2)中所述的薄膜上依次沉积电子传输层或者空穴传输层、界面修饰层和电极即制备得到银铋硫薄膜光电探测器。该探测器稳定性高,具有宽的响应光谱、高的比探测率以及极快的响应,制备简单,成本低,在医学成像、国防军工、监控等多个领域具有广泛潜在应用。
搜索关键词: 一种 银铋硫 薄膜 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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