[发明专利]一种银铋硫薄膜光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种银铋硫薄膜光电探测器，包括透明导电基底、空穴传输层、电子传输层、界面修饰层和电极，其特征在于，还包括银铋硫薄膜，其中，各层连接顺序为透明导电基底、空穴传输层、银铋硫薄膜、电子传输层、界面修饰层和电极，或者透明导电基底、电子传输层、银铋硫薄膜、空穴传输层、界面修饰层和电极。

2.根据权利要求1所述的银铋硫薄膜光电探测器，其特征在于，所述银铋硫薄膜厚度为20-100nm。

3.根据权利要求1所述的银铋硫薄膜光电探测器，其特征在于，所述透明导电基底为铟掺杂的氧化锌或氟掺杂的氧化锡透明导电薄膜；所述空穴传输层为有机半导体聚磺酸掺杂的聚噻吩、聚三芳基胺、聚(4-丁基苯基二苯胺)或无机半导体氧化镍中；所述电子传输层为C60、C70、PC60BM、氧化锡、氧化锌或氧化钛；所述界面修饰层为浴铜灵、氟化锂、碳酸铯或氧化钼；所述电极为铜、银或金。

4.根据权利要求1所述的银铋硫薄膜光电探测器，其特征在于，所述电子传输层或者空穴传输层膜厚为10～80nm，所述界面修饰层膜厚为1～8nm，所述电极膜厚为40～120nm。

5.一种权利要求1-4任一项所述的银铋硫薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将银源、铋源以及硫源加入溶剂中得到银铋硫前驱体溶液；

2)将步骤1)中的银铋硫前驱体溶液旋涂在沉积有空穴传输层或者电子传输层的透明导电基底上，在100～200℃范围内分步退火制得银铋硫薄膜；

3)将步骤2)中所述的薄膜上依次沉积电子传输层或者空穴传输层、界面修饰层和电极即制备得到银铋硫薄膜光电探测器。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中银源的浓度为0.1～1mmol/L，铋源的浓度为0.1～1mmol/L，硫源的浓度为0.1～4mmol/L。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中银源为硝酸银、醋酸银或氯化银；铋源为硝酸铋、醋酸铋或氯化铋；硫源为硫脲或二硫化碳；溶剂为二甲基亚砜或乙二醇甲醚。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中旋涂转速为1000～6000rpm，旋涂时间为30～120s。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中分步退火为：100℃退火5～60min,120～130℃退火5～60min,140～150℃退火5～60min,200℃退火20～60min。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中低温分步退火为：100℃退火10～30min,120～130℃退火10～30min,140～150℃退火10～30min,200℃退火20～40min。