[发明专利]一种基于底涂工艺的防水电源的制备方法在审
申请号: | 201911216523.9 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN110911286A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 雷云波;李学军;李志科 | 申请(专利权)人: | 深圳瓦特智汇科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于底涂工艺的防水电源的制备方法,该基于底涂工艺的防水电源的制备方法包括以下步骤:组装,将预先准备好的各功能元器件、线路板及电源外壳进行组装;测试,将上述组装完毕后的各功能元器件、线路板及电源外壳进行测试;喷涂,将上述测试完毕的各功能元器件和线路板的表面及电源外壳的内侧进行喷涂;晾干,将上述喷涂完毕的各功能元器件、线路板及电源外壳放置在通风的操作线上,进行自然晾干;灌胶,通过使用灌胶机将上述晾干后的产品进行定量灌胶。有益效果:本发明所采用的底涂属于无溶剂底涂,降低了对环境的危害,也减少了安全隐患的问题,同时,不会给工作人员的健康带来危害。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 工艺 防水 电源 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造