[发明专利]低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法在审
| 申请号： | 201911214012.3 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112802526A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴政颖;钟承谕;黄文谦 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/24;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法，此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位线的另一位线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。藉由本发明对应元件提出特殊的操作条件及偏压设定，不仅可实现低电流、低电压及低成本的设计功效，更能达到字节操作的快速写入及快速抹除的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 电子 复写 只读存储器 阵列 操作方法 | ||
【主权项】：
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