[发明专利]真空温度场测量装置及方法有效
申请号: | 201911212862.X | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110926617B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 陈进新;齐威;李璟;齐月静;杨光华;折昌美 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00;G01K1/14;G01K7/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王中苇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种真空温度场测量装置,应用于热成像技术领域,包括:被测物体上布置有测量基准,接触式测温元件连接测量基准,并通过真空导线穿过真空腔体与接触式测温信号处理模块连接,以使接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值,真空腔体的一腔壁上开设有红外窗口,红外热像仪透过红外窗口测量测温基准的实测温度值和被测物体表面每个像素上的实测温度值,数据处理模块根据测量基准的标称温度值和实测温度值,以及被测物体表面每个像素上的实测温度值,得到被测物体的二维温度场。本申请还公开了一种真空温度场测量方法,既能实现真空中面测量,又能提高温度场的测量精度。 | ||
搜索关键词: | 真空 温度场 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911212862.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种薄膜式电容传感器
- 下一篇:一种用于应用英语教学的音标图画展示架