[发明专利]具有沟槽型栅极的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911206558.4 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911281B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 帅露;王珏;余龙 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有沟槽型栅极的半导体器件及其制造方法，在形成图案化的光刻胶层之后，先对部分厚度或全部厚度的介质层进行离子注入，以在介质层中形成介质损伤层，然后湿法刻蚀具有介质损伤层的介质层并进一步湿法刻蚀或干法刻蚀下方的掺杂区和部分厚度的体区，以形成接触孔，在湿法刻蚀具有介质损伤层的介质层过程中，由于介质损伤层和其周围的介质层具有较高的刻蚀选择比，因此能够降低工艺难度，并可以减少横向刻蚀，进而能够改善最终制作的接触孔的形貌，以保证形成的接触孔底部和沟槽型栅极之间的距离，进而提高最终制得的沟槽型半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 栅极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
