[发明专利]用于制作碱金属蜡封包的模具、及制备和使用方法有效
申请号: | 201911195820.X | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110890282B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 李兴辉;杜婷;陈海军;刘忠征;肖顺禄 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 王喆 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于制作碱金属蜡封包的模具、及制备和使用方法,所述模具包括硅基底;硅基底包括:位于硅基底边缘位置的半结构隔离体;以及硅基底中央部;硅基底中央部上表面内陷形成有若干蜡封包承载腔;相邻蜡封包承载腔之间形成承载腔隔离体;硅基底上表面形成有释放牺牲层,释放牺牲层的远离硅基底的上表面形成有石蜡层;石蜡层的远离释放牺牲层的一侧形成有用于承载碱金属的腔体;半结构隔离体上包括有腐蚀释放孔。本发明能够可靠、可控地实现均匀一致碱金属蜡封包阵列的批量化制作,完全兼容MEMS及微电子工艺,工艺流程简单易实施,可操作性强;并且蜡封包模具可重复使用,利于避免原材料浪费,可有效降低批量化制作的成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 制作 碱金属 封包 模具 制备 使用方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十二研究所,未经中国电子科技集团公司第十二研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911195820.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于干道分割的溢流风险平衡信号控制优化方法
- 下一篇:多媒体双核工控主板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造