[发明专利]一种D-A体系电子传输层及其制备方法与应用在审
申请号: | 201911188914.4 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111081882A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 杨玉照;颜李;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 雷月华 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种D‑A体系电子传输层及其制备方法与应用。所述D‑A体系电子传输层,由D型分子和A型分子制备而成,其中D型分子和A型分子的质量比为(0.0075~0.25):(10~20),所述D型分子用于钝化和吸光,A型分子用于阻挡空穴传输电子。所述D‑A体系电子传输层用于制备反式钙钛矿太阳能电池,集钝化、吸光、传输为一体,可钝化钙钛矿薄膜的缺陷,增加光吸收,有利于电子提取及传输,进而提升反式钙钛矿太阳电池的能量转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 体系 电子 传输 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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