[发明专利]一种提升热点区寿命的负载均衡方法在审
| 申请号： | 201911169603.3 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111078142A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈峰 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明介绍一种提升热点区寿命的负载均衡方法,涉及应对用户对FLASH存储器中热点区的访问请求，根据当前操作的负载均衡段全局变量，操作对应的负载均衡段，在操作前判断当前负载均衡段的有效性以及读写操作的正确性，完成热点区的读写操作，同时更新当前操作的负载均衡段全局变量和管理信息，为下一次负载均衡段读写操作时作轮转准备。本发明介绍的方法，可以使用纯软件的方法，通过配置FLASH存储器负载均衡段的多少，动态均衡FLASH存储器热点区的读写操作负载，提升热点区的寿命和FLASH整体的可靠性，解决不同用户对FLASH存储器可靠性特别是解决热点区寿命瓶颈的需求，提高开发效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 热点 寿命 负载 均衡 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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