[发明专利]一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911158942.1 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110854020A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 胡海峰;褚卫国;陈佩佩;董凤良;闫兰琴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/334 | 分类号： | H01L21/334;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法，包括如下步骤：(1)设计对顶结构的交叠型图形作为库仑阻塞器件的掩模图形；(2)按步骤(1)设计好的图形利用电子束对电子束胶曝光，并经过显影、定影，得到掩模；(3)在步骤(2)得到的掩模上设置导电薄膜，然后除去电子束胶，得到所述亚10纳米库仑阻塞器件。本发明提供的制备方法仅需一次曝光工艺即可制备得到亚10纳米库仑阻塞器件，大大简化了库仑阻塞器件的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 10 纳米 库仑 阻塞 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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