[发明专利]一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911158942.1 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110854020A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 胡海峰;褚卫国;陈佩佩;董凤良;闫兰琴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/334 | 分类号： | H01L21/334;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 10 纳米 库仑 阻塞 器件 制备 方法 | ||
1.一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)设计对顶结构的交叠型图形作为库仑阻塞器件的掩模图形；
(2)按步骤(1)设计好的图形利用电子束对电子束胶曝光，并经过显影、定影，得到掩模；
(3)在步骤(2)得到的掩模上设置导电薄膜，然后除去电子束胶，得到所述亚10纳米库仑阻塞器件。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对顶结构的顶角为5-35°，所述对顶结构交叠的长度为10-200nm，所述交叠长度随所述顶角的增加而呈自然指数衰减。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述顶角为5°，所述交叠长度为150-200nm；
优选地，所述顶角为10°，所述交叠长度为30-60nm；
优选地，所述顶角为35°，所述交叠长度为10-15nm。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电子束胶选自聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯共聚物。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电子束胶为聚甲基丙烯酸甲酯，所述电子束的曝光剂量为600-900μC/cm2；
优选地，所述电子束胶为聚苯乙烯共聚物，所述电子束的曝光剂量为170-300μC/cm2。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电子束的束流为50-500pA；
优选地，所述电子束的步长为1nm；
优选地，所述电子束的加速电压为100kV。
7.根据权利要求1-6中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述显影和定影的时间各自独立的选自30-60s。
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述位于库伦岛两侧的纳米间隙的最小线宽尺寸相同或不同，均为0-10nm，不包括0；
优选地，步骤(2)所述库伦岛的最大线宽尺寸为0-10nm，不包括0。
9.根据权利要求1-8中的任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述设置导电薄膜的方法为真空蒸镀法。
10.根据权利要求1-9中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜的组成成分包括钯、铝、金、钛、铬、铜、钒、钨、镍、铁、钴、氧化锌、Al:ZnO、氮化钛、氧化铟锡、砷化镓、砷化铟、磷化铟、锗或硅中的任意一种或至少两种的组合。
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