[发明专利]一种低金属含量、介孔类石墨氮化碳纳米片的合成方法在审
| 申请号： | 201911144098.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111071999A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李孟丽;刘丹;曹雪波 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y40/00;B82Y30/00;C04B28/24;B01J27/24;B01J37/10 |
| 代理公司： | 杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙) 33315 | 代理人： | 张勋斌 |
| 地址： | 314001 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有同时具有介孔结构和纳米片层结构的类石墨氮化碳材料的简易制备方法。处理过程中，类石墨氮化碳材料中的氮原子被氢离子攻击，材料结构中部分C‑N键发生断裂，形成缺陷，进一步形成空穴；同时氧化性酸根离子破坏类石墨氮化碳层与层之间的氢键，形成纳米片层结构。为了提高材料的光催化活性，同时降低材料制备成本，提高助催化剂贵金属Pt的原子利用效率，通过浸渍法和低温煅烧处理后，可以将极少量的Pt单原子负载在材料的缺陷位处。所述的介孔类石墨氮化碳纳米片材料具有均匀的孔径分布、高的比表面积和孔容，有利于反应物和产物分子的吸附、扩散和脱附，在光催化催化、光电催化、生物、吸附分离等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 含量 介孔类 石墨 氮化 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】：
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